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2月3日，专项解读存储芯片板块走势。今日该板块迎来缩量反弹，反弹力度较为强劲，盘中走势呈现吞没昨日阴线的态势。当前市场核心疑问集中于：此次反弹能否持续？该反弹属于趋势反转信号，还是仅为阶段性反弹？本文将结合量价关系、支撑压力位及板块核心逻辑，对存储芯片板块后续走势进行深入拆解，为投资者提供专业参考。分析板块后续走势，需先明确其前期下行的核心逻辑——股市运行遵循“下跌逻辑与上涨逻辑相对应”的原则，唯有明晰板块下行的成因，才能精准判断其后续上涨的可能性及路径。回顾前期走势，存储芯片板块在一波上升行情中，股价虽创下新高，但成交量未能同步跟进，进而形成量价背离态势。需明确的是，量价背离本身属于市场常见现象，关键风险点在于背离后的爆量信号。
量价背离的确认信号为放量阴线的出现：若量价背离次日出现放量阴线，则可确认背离态势形成，此时操作逻辑较为清晰——以该放量阴线的开盘价绘制水平线，该水平线即为板块核心压力位，若股价无法有效突破该压力位，便会进入下行通道。在股价未能突破压力位的情况下，板块核心逻辑转为寻找支撑位，唯有支撑位未被跌破，后续行情才具备延续的基础。
结合板块前期上升行情，核心支撑位需依托走势中涨幅最大的阳线确定。在前期上升波段中，一根涨幅达4个点的阳线为该波段涨幅最大的K线，远超同期其他2个点左右涨幅的阳线，因此以该根4个点阳线的开盘价绘制水平线，即可确定核心支撑区间。值得注意的是，该根阳线形成了跳空缺口，该缺口具备较强的支撑力度，可将其纳入支撑区间综合考量。
昨日板块股价已触及该核心支撑区间，笔者昨日已提示该位置为低吸机会，今日板块如期迎来反弹。但需重点关注的是，此次反弹呈现缩量态势，属于弱反弹范畴，且股价未能站上5天线，未能形成有效的动能支撑，因此明日将成为板块走势的关键节点。从短期来看，5天线已对板块股价形成明显压力，针对昨日低吸的投资者，建议明日在股价反弹至5天线附近时可适时高抛。
高抛后需重点跟踪板块能否成功站上5天线：若股价无法站上5天线，板块大概率将再度回落，重新测试前期核心支撑区间，同时需同步关注5周平均线的支撑力度。当前板块股价距离月线级别支撑尚有一定距离，短期走势的核心变量完全集中于明日——若能成功站上5天线，且后续形成均线金叉，板块有望积蓄动能，向前期高点发起冲击。核心逻辑在于，存储芯片作为半导体板块的核心细分领域，具备明确的涨价逻辑支撑，据机构预测，2026年一季度存储芯片价格将持续上涨，其中DRAM价格涨幅逼近95%，NAND闪存涨幅达55%-60%，行业进入超级涨价周期，这也使得存储芯片成为半导体板块反弹的核心急先锋，今日其走势已显著强于半导体板块整体表现。
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